非晶态和纳米晶碳化硅薄膜的制备及力学性能

• 作者: 王新华
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 工学
• 关键词: 碳化硅 薄膜 微结构 力学性能
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 173-176,190
• 页数: 5页
• 分类号: TQ163+.4|TB43|O751
• 字数: 3101字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.03.004

摘要

以SiC超细粉为原料、利用热等离子体PVD(TPPVD)技术快速制备出了优质非晶态和纳米晶SiC薄膜.用扫描电子显微镜、高分辨透射电子显微镜、X射线衍射和X射线光电子谱、红外分光谱对薄膜的微结构进行了观察和分析.用纳牛力学探针测量了薄膜的力学性能.研究结果表明,只有当基板温度低于600℃、粉末供给速度不超过20mg/min时可沉积非晶态SiC薄膜,最大沉积速度达到25nm/s;当基板温度在600℃～1000℃时沉积的β-SiC薄膜是晶粒大小为3 nm～5 nm的纳米晶薄膜,最大沉积速度达到230 nm/s.非晶态和纳米晶SiC薄膜的硬度分别达到33.8 GPa和38.6 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王新华	浙江大学材料系	55	287	10.0	13.0