等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究

• 作者: 孙长征 张立江 熊兵 王健 罗毅 钱可元
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 减反射膜 等离子体增强化学气相沉积 低反射率
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 380-383,387
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 2181字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.05.014

摘要

利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作.采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量.在此基础上,制作了1.31 μm InGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钱可元	清华大学深圳研究生院	35	666	12.0	25.0
2	张立江	清华大学深圳研究生院	1	7	1.0	1.0