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摘要:
对1.2μ薄膜全耗尽SOI CMOS(TFD SOI CMOS)器件和电路进行了研究,硅膜厚度为80nm。器件采用LDD结构,以提高击穿电压、抑制断沟道效应和热载流子效应;对沟道掺杂能量和剂量进行了摸索,确保一定的开启电压和器件的全耗尽;为了减小“鸟嘴”,进行了PBL(Poly-Buffered LOCOS)隔离技术研究;溅Ti硅化物技术,使方阻过大问题得以解决。经过工艺流片,获得了性能良好的器件和电路。
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内容分析
关键词云
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相关文献总数  
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文献信息
篇名 薄膜全耗尽SOI CMOS工艺技术研究
来源期刊 集成电路通讯 学科 工学
关键词 LDD结构 薄膜全耗尽SOI CMOS 热载流子效应 溅Ti硅化物 PBL隔离 短沟道效应
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 7-10
页数 4页 分类号 TN432
字数 语种
DOI
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作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 刘善喜 6 0 0.0 0.0
2 徐春叶 3 0 0.0 0.0
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研究主题发展历程
节点文献
LDD结构
薄膜全耗尽SOI
CMOS
热载流子效应
溅Ti硅化物
PBL隔离
短沟道效应
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
集成电路通讯
季刊
大16开
安徽省蚌埠市06信箱
1983
chi
出版文献量(篇)
868
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16
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1121
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