聚硅氧烷封孔处理对Cf/SiC复合材料抗氧化性能的影响

• 作者: 王松 索相波 陈朝辉 马青松
• 来源期刊: 航空材料学报
• 关键词: 抗氧化 聚硅氧烷 陶瓷先驱体 封孔处理 Cf/SiC复合材料
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 34-37,46
• 页数: 5页
• 分类号: TB323
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-5053.2004.06.008

摘要

以室温粘度低的液态聚硅氧烷为原料,采用真空-加压浸渍交联工艺对Cf/SiC复合材料进行了封孔处理.研究了封孔效果及封孔处理对Cf/SiC复合材料短时间抗氧化性能的影响.结果表明,聚硅氧烷能够有效封填材料中微孔,提高Cf/SiC复合材料的致密度,同时明显提高Cf/SiC复合材料的短时间抗氧化性能.经封孔处理的Cf/SiC复合材料在1500℃空气中氧化10min后,材料强度保留率由处理前的67%提高到了95%,质量保留率由处理前的91.9%提高到99.1%.聚硅氧烷在裂解过程中会消耗氧以及裂解产物SiO2在高温下的流动能愈合孔隙,从而阻碍O2向材料内部扩散是抗氧化性能得以提高的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈朝辉	国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室	167	1816	23.0	32.0
2	王松	国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室	28	166	7.0	12.0
3	马青松	国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室	63	552	12.0	20.0
4	索相波	国防科技大学新型陶瓷纤维及复合材料国防科技重点实验室	2	15	2.0	2.0