纳米压痕位移突变机理研究

• 作者: 乔利杰 宿彦京 王玉桂 褚武扬 郜欣
• 来源期刊: 机械强度
• 关键词: 单晶 纳米压痕 位移突变 蠕变 表面膜
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 断裂与疲劳损伤的微细观方面
• 页码范围: 1-4
• 页数: 4页
• 分类号: TG111.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9669.2004.z1.001

摘要

用铁和ZnO单晶研究纳米压入时的位移突变和蠕变突变.结果表明,电解抛光的纯铁压入时会出现位移突变,突变前后的载荷一位移曲线明显不同,它对应表面膜破裂.而对于ZnO单晶来说,突变前后载荷一位移曲线变化不大,该突变意味着位错的爆发式发射.随加载速率降低,发生位移突变的临界载荷PC也下降.当P＞PC恒载荷蠕变时,位移缓慢升高直至饱和,但无突变;如P＜PC,恒载荷下保持一定时间就会发生蠕变突变,随后位移缓慢升高至饱和;如P＜P++(门槛载荷),则不发生蠕变和蠕变突变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	乔利杰	北京科技大学材料物理与化学系	139	834	15.0	21.0
2	褚武扬	北京科技大学材料物理与化学系	135	889	17.0	22.0
3	宿彦京	北京科技大学材料物理与化学系	53	346	9.0	17.0
4	郜欣	北京科技大学材料物理与化学系	3	8	2.0	2.0
5	王玉桂	北京科技大学材料物理与化学系	2	12	2.0	2.0