硫化矿浸出过程的半导体-溶液界面分析

• 作者: 李宏煦 王淀佐
• 来源期刊: 有色金属
• 学科: 工学
• 关键词: 冶金物理化学 硫化矿 半导体溶液界面 浸出 氧化机理 电化学
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 提取冶金与化学
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: TF01|TF803.21|TF111.31
• 字数: 2804字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.2095-1744.2004.02.019

摘要

硫化矿氧化浸出过程实际是半导体-溶液界面电子或空穴转移的过程,基于传统半导体界面氧化理论,根据硫化矿半导体表面能级与溶液氧化还原对的关系,系统分析硫化矿-溶液界面电子或空穴转移步骤,揭示了硫化矿在氧化溶液介质中的氧化浸出机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王淀佐		45	917	17.0	29.0
2	李宏煦		15	389	9.0	15.0