关于带记忆组合器的构造

• 作者: 冯登国 巫治平 杨海波 马卫局
• 来源期刊: 中国科学院研究生院学报
• 学科: 工学
• 关键词: 组合器 记忆 非线性度 相关免疫阶
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 论文
• 页码范围: 512-519
• 页数: 8页
• 分类号: TP391
• 字数: 1689字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-1175.2004.04.013

摘要

提出了带记忆组合器的非线性复杂度和相关免疫阶的概念.通过分析,发现它们是设计带记忆组合器的重要准则;另一条设计准则是输出函数和状态函数的平衡性.根据这些新的带记忆组合器的设计准则,构造了一类具有很好性质的密钥流生成器.它的相关免疫阶可以是[0,n-1]中的任意一个整数,它的非线性度可以通过调整一些布尔函数获得.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	冯登国	信息安全国家重点实验室中国科学院研究生院	60	2071	22.0	45.0
2	马卫局	信息安全国家重点实验室中国科学院研究生院	2	6	2.0	2.0
3	巫治平	信息安全国家重点实验室中国科学院研究生院	2	6	2.0	2.0
4	杨海波	信息安全国家重点实验室中国科学院研究生院	1	2	1.0	1.0