氮对直拉硅片中氧沉淀分布的影响

• 作者: 余学功 崔灿 李立本 杨德仁 阙端麟 马向阳
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 掺氮 直拉硅 氧沉淀 退火
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 951-955
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.1+2
• 字数: 2720字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.08.012

摘要

研究了氮在退火过程中对直拉硅片中的氧沉淀分布的影响.实验结果表明,三步退火后在掺氮硅片截面形成特殊的M形的氧沉淀密度分布,即表面形成没有氧沉淀的洁净区(DZ),体内靠近DZ区域形成高密度、小尺寸的氧沉淀,而在硅片的中心处形成低密度、大尺寸的氧沉淀.分析认为,由于在第一步高温退火过程中氮在硅片表面外扩散,同时在硅片体内促进氧沉淀,改变了间隙氧的分布,从而导致在随后的热处理过程中氧沉淀的特殊分布行为.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨德仁	浙江大学硅材料国家重点实验室	180	1513	20.0	31.0
2	马向阳	浙江大学硅材料国家重点实验室	60	404	10.0	17.0
3	阙端麟	浙江大学硅材料国家重点实验室	72	612	13.0	20.0
4	李立本	浙江大学硅材料国家重点实验室	11	94	7.0	9.0
5	余学功	浙江大学硅材料国家重点实验室	18	119	7.0	10.0
6	崔灿	浙江大学硅材料国家重点实验室	7	136	4.0	7.0