界面粗糙度对Co/Cu/Co/NiO自旋阀磁电阻的影响

• 作者: 吴小山 吴忠华 孙亮 孙民华 张爱梅 杜军 罗广圣 胡安 蒋树声 蔡宏灵 谭伟石 陈中军 陈兴 黄军平
• 来源期刊: 核技术
• 学科: 物理学
• 关键词: NiO自旋阀 X射线镜面反射和散射 界面粗糙度
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 新一代同步辐射技术及应用
• 页码范围: 485-488
• 页数: 4页
• 分类号: O482.5
• 字数: 2880字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-3219.2004.07.002

摘要

用磁控溅射方法制备了一系列含NiO反铁磁层的Co/Cu/Co自旋阀结构.电磁输运测量表明,对相同Co/Cu/Co结构的自旋阀,NiO在自旋阀的顶部(TSV)和在自旋阀的底部(BSV)表现了不同的磁电阻值和热稳定特性.X射线镜面反射和横向漫散射测量证明小的界面粗糙度是导致磁电阻增大的主要原因,而Co与NiO层间的耦合减弱将导致MR减小,两者共同的作用决定了含NiO的自旋阀的磁电阻.我们由此设计实验将BSV自旋阀的磁电阻值提高近1倍,即达到～12%,而对称自旋阀的磁电阻则提高到15%.