热释发光-正电子湮灭法研究SrAl2O4基磷光体长余辉发光机制

• 作者: 南策文 张中太 林元华 王雨田
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 化学
• 关键词: 热释发光 正电子湮灭 长余辉 陷阱能级
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 201-206
• 页数: 6页
• 分类号: TQ422|O614
• 字数: 3133字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.01.033

摘要

利用传统陶瓷制备方法合成了长余辉SrAl2O4:Eu,Dy发光粉材料,并利用热释发光-正电子湮灭法对该材料的发光性能及机理进行了研究.研究结果表明,掺杂的Eu在基质材料中主要充当发光中心,而Dy离子主要充当陷阱能级.正电子湮灭试验结果表明,Sr0.94Al2O4:Eu0.02和Sr0 94Al2O4:Eu0.02,Dy0.04存在带负电中心的缺陷,共掺杂的Dy3+进到Sr2+位,同时产生一定量的Sr空位.热释发光谱结果表明,单掺杂Eu离子的磷光体中缺陷陷阱深度较深,约为0.95eV.随着Dy的共掺杂,热释发光强度相应增加,陷阱深度降为0.51eV.对于长余辉发光机制,认为陷阱能级捕获的空穴与介稳态(Eu1+)*的复合,导致了长余辉现象的发生.并且由于陷阱深度的变化,导致余辉性能出现较大的差异.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张中太	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	85	2496	24.0	48.0
2	林元华	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	37	1234	13.0	35.0
3	南策文	清华大学材料科学与工程系新型陶瓷与精细工艺国家重点实验室	49	438	14.0	19.0
4	王雨田	中国科学院高能物理所	5	90	4.0	5.0