溅射法制备高取向Pt薄膜的工艺研究

• 作者: 吴建华 王海 褚家如 赵刚 鲁健
• 来源期刊: 微细加工技术
• 学科: 工学
• 关键词: Pt薄膜 底电极 射频磁控溅射 PZT铁电薄膜 微机电系统
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 薄膜技术
• 页码范围: 41-46
• 页数: 6页
• 分类号: TB43
• 字数: 2660字
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射工艺在SiO2/Si衬底上成功制备了适用于PZT铁电薄膜底电极的180 nm厚、沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜.厚约50 nm的Ti膜被用作过渡层,以增强Pt薄膜与衬底之间的黏着性.实验表明,在Pt薄膜的制备过程中,较高的衬底温度有利于薄膜晶化,促使Pt薄膜沿(111)晶向择优取向生长.而在薄膜沉积后加入适当的热处理工艺,能有效地提高Pt薄膜的择优取向性,同样可以得到沿(111)晶向强烈取向的Pt薄膜.原子力显微镜分析表明,制得的薄膜结构相对致密,结晶状况良好,晶粒尺寸约为50 nm.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	褚家如	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	76	566	14.0	19.0
2	鲁健	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	12	125	6.0	11.0
3	王海	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	36	1036	9.0	32.0
4	赵刚	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	143	934	15.0	25.0
5	吴建华	中国科学技术大学精密机械与精密仪器系	8	60	4.0	7.0