近衍射极限输出的外腔半导体激光器研究

• 作者: Andreas Hemerschmidt H.J.Eichler 刘崇 葛剑虹 陈军
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 外腔注入 单瓣近衍射极限 宽接触条形半导体激光器
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 光束传输与控制,材料、薄膜及元器件
• 页码范围: 483-485
• 页数: 3页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1219字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0258-7025.2004.z1.161

摘要

针对宽接触条形半导体激光器(Broad arealaser diode),设计了一个新颖独特的外腔结构,通过平面镜和光栅的组合外腔来改善光束质量.实验中在2.7倍阈值电流的驱动电流下,获得光瓣宽度(FWHM)为0.53°,相应于光束质量为1.3倍衍射极限,谱宽为0.7 nm,功率为320 mW的激光输出.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	葛剑虹	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	30	252	9.0	13.0
2	刘崇	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	30	182	7.0	12.0
3	陈军	浙江大学现代光学仪器国家重点实验室	145	1175	16.0	26.0