太赫兹场作用下GaAs 量子阱的光吸收研究

• 作者: 曹俊诚 米贤武
• 来源期刊: 稀有金属
• 学科: 工学
• 关键词: 光吸收谱 量子阱 太拉赫兹
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究简报
• 页码范围: 585-587
• 页数: 3页
• 分类号: O471.3|O472+.3|TN219
• 字数: 1325字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.038

摘要

用密度矩阵理论,研究了在超快脉冲及太赫兹场作用下GaAs量子阱的光吸收谱.在直流和太赫兹场作用下,由于量子约束斯塔克效应,光吸收谱呈现出多个激子吸收峰.改变太赫兹的强度和频率,吸收谱出现恶歇分裂,并产生边带.这些分裂主要来源于太赫兹作用下激子的非线性效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	米贤武	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0
2	曹俊诚	中科院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	1	1	1.0	1.0