发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P/GaAsHBT特性的影响

• 作者: 孙海锋 汪宁 石瑞英 罗明雄 袁志鹏
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 发射极镇流电阻 In0.49Ga0.51P/GaAs HBT 直流特性 高频特性
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 831-835
• 页数: 5页
• 分类号: TN303|TN385
• 字数: 2770字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.017

摘要

在发射极加一个镇流电阻可以解决在多个HBT并联时,常常出现电流坍塌的问题.研究了发射极镇流电阻对In0.49Ga0.51P/GaAs HBT直流及高频特性的影响,并对实验现象进行了理论分析.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙海锋	中国科学院微电子研究所	12	45	4.0	6.0
2	石瑞英	四川大学物理学院	28	141	7.0	11.0
3	罗明雄	中国科学院微电子研究所	5	20	3.0	4.0
4	袁志鹏	中国科学院微电子研究所	11	33	3.0	5.0
5	汪宁	中国科学院微电子研究所	9	46	4.0	6.0