离子束增强沉积VO2多晶薄膜的温度系数

• 作者: 李金华 袁宁一
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: VO2多晶薄膜 离子束增强沉积 热电阻温度系数
• 年，卷（期）: 2004,（8）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:结构、热学和力学性质
• 页码范围: 2683-2686
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.08.047

摘要

用改进的离子束增强沉积方法和恰当的退火从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜.实验测试表明,薄膜的取向单一、相变特性显著、结构致密、界面结合牢固、工艺性能良好,薄膜的电阻温度系数(TCR)最高可达4.23%/K.从成膜机理出发,较详细地讨论了离子束增强沉积VO2多晶薄膜的TCR高于Vox薄膜的TCR的原因.分析认为,单一取向的VO2结构使薄膜晶粒具有较高的电导激活能,致密的薄膜结构减少了氧空位和晶界宽度,使离子束增强沉积VO2多晶薄膜结构比其他方法制备的Vox薄膜更接近于单晶VO2是其具有高TCR的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李金华	江苏工业学院信息科学系	33	277	9.0	15.0
2	袁宁一	江苏工业学院信息科学系	26	154	8.0	10.0