低温制备透明SnO2:F薄膜的光电性研究

• 作者: 冯良桓 夏庚培 张静全 李卫 武莉莉 蔡亚平 蔡伟 郑家贵 鄢强 雷智 黎兵
• 来源期刊: 光电子技术
• 学科: 物理学
• 关键词: SnO2 透明导电薄膜 超声喷雾热解
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 4-7,20
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 3229字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-488X.2004.01.002

摘要

SnO2:F透明导电薄膜是一种广泛用于显示技术和能量转换技术的重要材料.本文在超声喷雾热解成膜技术基础上,对沉积装置进行了改进,同时对反应液配方进行了优化,在较低温度制备出透明SnO2:F导电薄膜.用XRD、UV/Vis、SEM、原子力显微镜分析测试方法对沉积薄膜的结构、形貌和光学、电学性质进行了研究.结果表明,在360°C沉积温度下制备的SnO2:F薄膜,其方块电阻为4.7 Ω,(200)面择优取向明显,薄膜晶粒均匀,表面形貌有所改善,透明度有所提高.