碳化硅非线性性质与表面二氧化硅含量关系的研究

• 作者: 于开坤 刘斌 宁叔帆 李鸿岩 陈寿田
• 来源期刊: 绝缘材料
• 关键词: 碳化硅 SiC 体积电阻率 非线性系数
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 性能与测试
• 页码范围: 38-40
• 页数: 3页
• 分类号: TM201.44|TN304.24|TQ164.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1009-9239.2004.06.013

摘要

碳化硅(SiC)的体积电阻率ρv和非线性系数β与SiC粉料表面二氧化硅(SiO2)的含量有直接关系.研究了酸洗和煅烧处理SiC对SiC粉料表面SiO2的含量的影响以及SiO2含量对SiC的体积电阻率和非线性系数的影响.酸洗后SiC粉料表面SiO2的含量下降,ρv和β比未酸洗的SiC粉料均有所降低;煅烧后SiC表面SiO2含量增加,ρv和β增大.因此通过酸洗或煅烧能有效地调整SiC粉料和防晕带的ρv和β,使其达到实际应用的要求.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁叔帆	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	15	210	8.0	14.0
2	于开坤	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	17	173	7.0	12.0
3	刘斌	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	82	1223	22.0	31.0
4	陈寿田	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	95	1522	23.0	33.0
5	李鸿岩	西安交通大学电力设备电气绝缘国家重点实验室	12	363	9.0	12.0