Zn1-xMgxO薄膜的低压MOCVD生长与性质

• 作者: 刘伟 刘松民 叶建东 周昕 张荣 施毅 朱顺明 秦锋 胡立群 郑有炓 顾书林
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 锌镁氧合金 低压金属有机物气相沉积 X射线衍射 透射谱 光致发光谱
• 年，卷（期）: 2004,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 809-813
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 2192字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.07.013

摘要

利用低压金属有机物气相沉积(LP-MOCVD)技术,采用两步生长法,在(0001)蓝宝石衬底上获得了纤锌矿结构的Zn1-xMgxO合金单晶薄膜.实验发现随着Mg原子的增多,ZnMgO的晶格常数逐渐减小.X射线衍射谱中未出现除(0002)峰之外的其他峰位,表明该合金薄膜具有很强的择优取向和较好的晶体质量.室温透射谱与光致发光谱显示,其吸收边或带边发光峰随Mg原子浓度的增加首先出现红移然后出现蓝移.该反常现象与ZnMgO薄膜中产生的杂质缺陷的行为有关.研究表明在MOCVD生长ZnMgO合金薄膜过程中,必须优化与控制反应条件,以抑制杂质缺陷的产生.