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摘要:
简要回顾了ZnO压敏电阻器的历史,阐述了ZnO压敏电阻器的性能以及当前基础性研究的现状,并对其发展进行了展望.研究了Bi2O3和TiO2的掺杂对低压ZnO压敏电阻性能和微观结构的影响规律,从理论上分析了Bi2O3和TiO2添加剂的作用机理.为ZnO压敏电阻的低压化提供了理论依据和方法.
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文献信息
篇名 ZnO压敏电阻器的性能及发展
来源期刊 现代技术陶瓷 学科 工学
关键词 ZnO压敏电阻器 性能 发展 添加剂 Bi2O3 TiO2 晶粒生长
年,卷(期) 2004,(1) 所属期刊栏目 综述与述评
研究方向 页码范围 31-36
页数 6页 分类号 TQ174
字数 6234字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-1198.2004.01.008
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐政 同济大学材料科学与工程学院 160 2312 24.0 39.0
2 傅静 同济大学材料科学与工程学院 2 64 2.0 2.0
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ZnO压敏电阻器 性能 发展 添加剂 Bi2O3 TiO2 晶粒生长
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代技术陶瓷
双月刊
1005-1198
37-1226/TQ
大16开
山东省淄博市张店区柳泉路西三巷五号
1993
chi
出版文献量(篇)
1156
总下载数(次)
4
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