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摘要:
分析了在ECR-MOCVD装置上外延生长GaN单晶薄膜的工艺过程特点和在此过程中影响GaN结晶质量的主要因素.在此基础上,设计了一套监控系统,用于GaN外延生长的工艺流程监控,并提出了一种合适的工艺流程监控策略.
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缺陷
密度提取
二值化
数学形态学
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 GaN薄膜生长实时监控系统的实现
来源期刊 半导体技术 学科 工学
关键词 外延生长 GaN薄膜 实时监控
年,卷(期) 2004,(9) 所属期刊栏目 支撑技术
研究方向 页码范围 70-73
页数 4页 分类号 TN304.055
字数 2795字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.09.019
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 徐茵 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 26 207 8.0 13.0
5 曲钢 大连理工大学三束材料改性国家重点实验室 2 6 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
外延生长
GaN薄膜
实时监控
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体技术
月刊
1003-353X
13-1109/TN
大16开
石家庄179信箱46分箱
18-65
1976
chi
出版文献量(篇)
5044
总下载数(次)
38
总被引数(次)
24788
论文1v1指导