基片上薄膜生长过程的计算机模拟

• 作者: 何华辉 刘昌辉
• 来源期刊: 功能材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 薄膜生长 沉积 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2004,（z1）
• 所属期刊栏目: 功能材料制备加工技术
• 页码范围: 3010-3014
• 页数: 5页
• 分类号: O411.3
• 字数: 3957字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9731.2004.z1.842

摘要

根据薄膜的成核统计理论,考虑吸附粒子的碰撞、迁移、蒸发等因素,针对薄膜单层和多层核生长类型的生长,用计算机进行仿真模拟.同时研究了几种因素对粒子沉积成膜的影响.根据计算机模拟情况,得出了粒子百分变化与成团粒子百分变化关系、生长过程对粒子沉积成膜的影响.论证了按成核理论下的随机统计规律生成的多层粒子膜,其厚度方面的不均匀性与实际是一致的.并给出了计算机模拟研究薄膜微观生长过程的立体图象.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何华辉	华中科技大学电子科学与技术系	110	1350	20.0	29.0
2	刘昌辉	华中科技大学电子科学与技术系	6	20	3.0	4.0