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TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响
TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响
作者:
刘越
孙超
宋贵宏
郑静地
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
电弧离子镀
TiAlN膜层
织构
TiAl过渡层
结合强度
内应力
摘要:
利用电弧离子镀,在不锈钢和SiCP增强2024铝基复合材料基底上沉积TiAlN薄膜.结果表明:TiAlN膜层直接沉积在不锈钢基底上,膜层呈[111]择优取向;然而,TiAlN膜层沉积在不锈钢基底的TiAl过渡层上,膜层呈[220]方向择优取向;并且随着过渡层从零开始增厚,TiAlN膜层的织构系数T(111)逐渐减小,而T(200)逐渐增大,但膜层一直以[220]方向择优取向,内应力的存在可能是膜层产生[220]方向择优取向的原因.在复合材料基底TiAl过渡层上沉积,随着负脉冲偏压的增加,TiAlN膜层的择优取向由[111]向[200]转变.在不锈钢基底上,没有TiAl过渡层时,膜层表面相对光滑,大颗粒较少;有了TiAl过渡层,表面大颗粒较多;TiAl过渡层不同沉积时间对膜层表面影响不大,颗粒尺寸相差无几.没有TiAl过渡层时,膜层结合强度很差,有了TiAl过渡层,结合强度明显增加,但结合强度的大小随过渡层沉积时间(厚度)变化.
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TiAl过渡层对电弧离子镀沉积TiAlN膜层的影响
来源期刊
人工晶体学报
学科
物理学
关键词
电弧离子镀
TiAlN膜层
织构
TiAl过渡层
结合强度
内应力
年,卷(期)
2004,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
422-427
页数
6页
分类号
O484.1
字数
3562字
语种
中文
DOI
10.3969/j.issn.1000-985X.2004.03.035
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
刘越
中国科学院金属研究所
30
720
14.0
26.0
2
孙超
中国科学院金属研究所
126
1708
23.0
34.0
3
宋贵宏
沈阳工业大学材料科学与工程学院
25
145
7.0
11.0
4
郑静地
中国科学院金属研究所
3
55
3.0
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研究去脉
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期刊影响力
人工晶体学报
主办单位:
中材人工晶体研究院有限公司
出版周期:
月刊
ISSN:
1000-985X
CN:
11-2637/O7
开本:
16开
出版地:
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
邮发代号:
创刊时间:
1972
语种:
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
16
总被引数(次)
38029
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