InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱激光器的子带跃迁设计

• 作者: 唐田 张永刚 李爱珍 郑燕兰
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 量子阱 激光器 子带跃迁 锑化物
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 376-379
• 页数: 4页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 2917字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.05.013

摘要

采用有效质量框架下一维有限单势阱的Kronig-Pency模型对InxGa1-xAsySb1-y/Al0.25Ga0.75As0.02Sb0.98量子阱激光器结构的子带跃迁波长及其和阱宽间的关系进行了设计,并采用能量平衡模型计算了此应变材料体系在生长时的临界厚度.结果表明InGaAsSb/AlGaAsSb是制作2～3 μm中红外波段量子阱激光器的良好材料体系,然而在结构设计和材料生长中采用合适的材料组分及阱宽并对应变总量进行控制是十分重要的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑燕兰	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	11	50	5.0	6.0
2	李爱珍	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	52	397	10.0	16.0
3	张永刚	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	66	595	12.0	21.0
4	唐田	中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料国家重点实验室	3	18	3.0	3.0