单晶硅滑动磨损性能及其相变研究

• 作者: 吕晋军 李小成 杨生荣
• 来源期刊: 摩擦学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 单晶硅 相变 滑动磨损性能
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 326-331
• 页数: 6页
• 分类号: TH117.3
• 字数: 3129字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1004-0595.2004.04.009

摘要

考察了单晶硅在室温和低接触应力条件下的摩擦磨损行为随速度的变化情况.结果表明,单晶硅的摩擦系数和磨损率随滑动速度的提高而呈现降低趋势;单晶硅在低速、短滑动时间下的磨损表面形貌特征以微断裂为主,并伴有一定程度的塑性变形;随着滑动时间的延长,塑性变形特征逐渐减弱,塑性变形同具有金属延性特征的β-Sn(简称Si-II)相密切相关,Si-II在滑动过程中可转变为体心立方结构(简称Si-III)、斜方六面体结构(简称Si-XII)和非晶硅相;在高速条件下,单晶硅磨损表面呈现微断裂和较弱的塑性变形特征;尽管通过Raman分析证实磨损表面存在Si-III相,但其对磨损机制的影响有待于进一步研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	吕晋军	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	60	777	13.0	26.0
2	杨生荣	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	104	1439	18.0	34.0
3	李小成	中国科学院兰州化学物理研究所固体润滑国家重点实验室	5	20	2.0	4.0