同源盒B2基因在内皮细胞增殖中的作用及血管内皮生长因子对内皮细胞放射损伤的保护作用

• 作者: 冉新泽 刘亮 刘旭盛 张晓启 徐辉 明佳 程天民
• 来源期刊: 中华烧伤杂志
• 学科: 医学
• 关键词: 内皮生长因子 基因,同源盒 寡核苷酸类,反义 辐射损伤 内皮细胞
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 论著
• 页码范围: 287-291
• 页数: 5页
• 分类号: R6
• 字数: 4774字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3760/cma.j.issn.1009-2587.2004.05.011

摘要

目的探讨同源盒B2 (HOXB2)基因在人脐静脉内皮细胞(HUVEC)增殖中的作用及血管内皮生长因子(VEGF)对HUVEC放射损伤的保护效应. 方法分离、培养HUVEC.(1)配制寡脱氧核苷酸(ODN)或反义ODN(ASODN)浓度为0.25、0.50、1.00、2.50 mg/L的脂质体-HOXB2-ASODN、脂质体-ODN,用以刺激HUVEC.以噻唑蓝(MTT)法和氚标记胸腺嘧啶脱氧核苷(3H-TdR)掺入法检测刺激后HUVEC增殖活性的变化,以流式细胞仪进行细胞周期分析,以逆转录聚合酶链反应(RT-PCR)检测HUVEC内HOXB2 mRNA的表达水平.(2)对HUVEC进行下述处理:加入50 μg/L VEGF;以6、12 Gy的60Co γ射线照射;12 Gy 60Co γ射线照射后加入50 μg/L VEGF.24、48 h后进行形态学观察,采用MTT法检测细胞增殖活性的变化. 结果 (1)与脂质体-ODN比较,脂质体-HOXB2-ASODN对HUVEC的增殖有明显抑制作用(P<0.05或0.001),且ASODN浓度越高变化越明显.2.50 mg/L的ASODN可明显减少HUVEC的S期细胞数量及HOXB2 mRNA表达水平(P< 0.01或0.001).(2)60Co γ射线照射可造成HUVEC核增大,胞浆多空泡,多核及核肿胀.当以6 Gy照射24、48 h时,细胞增殖活性分别由未照射时的0.365±0.047、0.487±0.022升至0.557±0.042、0.648±0.021;以12 Gy照射24、48 h时,则降至0.263±0.038、0.306±0.024(P<0.01).12 Gy照射后加入VEGF能明显改善细胞形态并促进其增殖. 结论 HOXB2对HUVEC的生物活性具有重要作用.小剂量60Co γ射线照射可引起HUVEC HOXB2表达增强,大剂量照射则使其表达降低,而VEGF对HUVEC具有抗放射损伤的作用.