低压CMOS带隙电压源

• 作者: 李仲秋
• 来源期刊: 半导体技术
• 学科: 工学
• 关键词: CMO S带隙电压源 温度系数
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 专题报道（半导体应用市场）
• 页码范围: 61-64
• 页数: 4页
• 分类号: TN431.1
• 字数: 2526字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-353X.2004.04.027

摘要

介绍了CMOS带隙电压源的基本原理,并根据目前CMOS集成电路工艺发展对低电源电压的要求,详细地分析了几种能产生低输出电压且能兼容标准CMOS工艺的CMOS带隙电压源电路.这些电路所需的电源电压只有1V左右,并且都能够输出1V以下具有零温度系数的参考电压,其中有些电路的输出电压可以由电阻的比值来调节,因而可以增加电路设计的灵活性.本文还对低压CMOS带隙电压源电路的低频和高频噪声特性进行了深入分析,提出了改善输出参考电压噪声特性的途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李仲秋		10	20	2.0	4.0