腐蚀坑处氮化镓二次MOCVD外延生长的特性

• 作者: 张国义 方慧智 杨华 章蓓 陆敏 陆曙 黎子兰
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: MOCVD GaN 穿透位错
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 415-418
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.23
• 字数: 1887字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.011

摘要

利用熔融KOH液对单层GaN腐蚀后进行二次MOCVD外延生长,对不同二次生长时间的薄膜及生长前的薄膜进行扫描电子显微、X射线衍射和光致发光测试,实验结果表明二次生长2h的薄膜具有最低的位错密度和最好的光学特性.在腐蚀坑处,坑中早期的慢速生长及后期的侧向生长都抑制穿透螺位错的生长,坑边缘与中心的非对称生长会引入新的穿透刃位错,莲花状坑结构相遇连通可以使连通处的穿透刃位错消失.