Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜的真空热蒸发制备研究

• 作者: 张海芳 杜丕一 翁文剑 赵高凌 韩高荣
• 来源期刊: 真空科学与技术学报
• 学科: 化学
• 关键词: Fe3+离子敏感薄膜 真空热蒸发 低温烧结
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 技术交流
• 页码范围: 442-444,447
• 页数: 4页
• 分类号: O484|O657.15
• 字数: 2517字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1672-7126.2004.06.012

摘要

本文通过在低温下烧结靶材,利用电子束蒸发方法制备了Ge/Sb/Se/Fe比例可控的Fe3+离子敏感Ge-Sb-Se-Fe系薄膜.用XRD和PHS-9V型酸度计研究薄膜的结构和性能.研究表明薄膜的Fe3+离子敏感性能为(50.375±4.125) mV/十倍浓度,线性响应Fe3+浓度范围(10-2～10-6) mol/L.