BST类铁电薄膜低温外延层状生长研究

• 作者: 刘兴钊 张鹰 李言荣 李金隆 邓新武
• 来源期刊: 无机材料学报
• 学科: 物理学
• 关键词: BST 铁电薄膜 低温 外延生长
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 所属期刊栏目: 简报
• 页码范围: 1207-1211
• 页数: 5页
• 分类号: O484
• 字数: 2298字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-324X.2004.05.041

摘要

利用激光分子束外延技术(LMBE)在SrTiO3(100)单晶基片上外延生长SrTiO3(STO)、BaTiO3(BTO)、Ba0.6Sr0.4TiO3(BST)铁电薄膜.通过反射高能电子衍射(RHEED)实时监测薄膜生长, 并结合原子力显微镜(AFM)分析薄膜的生长模式,根据RHEED衍射强度振荡曲线及衍射图样的变化确定动态和静态控制最低晶化温度, 发现STO、BTO、BST三种铁电薄膜可以分别在280、330、340℃的低温下实现外延层状生长.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张鹰	电子科技大学微电子与固体电子学院	47	169	7.0	9.0
2	邓新武	电子科技大学微电子与固体电子学院	17	97	5.0	9.0
3	李金隆	电子科技大学微电子与固体电子学院	12	66	5.0	7.0
4	李言荣	电子科技大学微电子与固体电子学院	115	824	15.0	21.0
5	刘兴钊	电子科技大学微电子与固体电子学院	56	310	9.0	14.0