考虑自热效应的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性分析

• 作者: 任晓敏 周守利 崇英哲 黄永清
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 热场发射扩散 能带变窄效应(BGN) 自热效应 Jain-Roulston模型
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 页码范围: 559-563
• 页数: 5页
• 分类号: TN304
• 字数: 3134字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.04.005

摘要

重掺杂使导带、价带带边同时发生了收缩,从而产生能带变窄效应(BGN).对于因重掺杂NPN突变AlGaAs/GaAs HBT,而引起BGN导带和价带突变界面势垒形状及高度都发生改变结果,以致对电流输出特性产生重要的影响.本文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及热场发射--扩散载流子输运机制,对考虑自热效应下的重掺杂AlGaAs/GaAs HBT电流特性进行了深入的研究.通过与其它计算程序常用的几种BGN模型比较得出:为了更好描述电流传输,利用Jain-Roulston的BGN模型,考虑导带、价带突变量的改变依赖于实际掺杂浓度值是必要的.