离子注入工艺各个参数的调整

• 作者: 王笑然 高松
• 来源期刊: 微处理机
• 学科: 工学
• 关键词: Beam Current束流 Uniformity 均匀性
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 大规模集成电路设计、制造与应用
• 页码范围: 12-13
• 页数: 2页
• 分类号: TN4
• 字数: 1681字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-2279.2004.03.005

摘要

本文以美国EATON公司的中束流注入机为例,阐述了IC芯片生产过程中离子注入工艺如何实现高质量注入;标准注入参数的调整,以及实现高速注入所应采取的各种手段,尽量发挥离子注入机的潜能,使中束流注入机也可以注入大束流,在生产上实现高速机动,加快了工艺流程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王笑然		1	3	1.0	1.0
2	高松		2	3	1.0	1.0