采用注入隔离制造的AlGaN/GaN HEMTs器件

• 作者: 刘新宇 刘键 吴德馨 和致经 王润梅 肖冬萍 魏珂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: AlGaN/GaN HEMT 离子注入
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 458-461
• 页数: 4页
• 分类号: TN325+.3
• 字数: 2821字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.04.020

摘要

对AlGaN/GaN HEMT器件采用离子注入技术注入氦离子进行隔离,应用该技术制造出的器件在室温下具有很好的特性.器件的阈值电压在-3V左右时,源漏间电流为几十nA.肖特基势垒的反向漏电流在-10V下约为几百nA.与采用干法刻蚀技术进行隔离的器件相比,采用离子注入技术不但可以获得全平面化的HEMTs器件而且还有效地抑制了场区漏电.研究还表明氦离子注入的温度稳定性大于700℃.