后处理工艺对PCT薄膜形貌与结构的影响

• 作者: 张万里 张树人 彭家根 钟朝位
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 工学
• 关键词: 无机非金属材料 PCT薄膜 射频磁控溅射 退火
• 年，卷（期）: 2004,（10）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 9-11
• 页数: 3页
• 分类号: TM22
• 字数: 2594字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-2028.2004.10.004

摘要

采用射频磁控溅射技术,利用快速退火工艺制备出了大面积(φ120 mm)表面光滑、连续、均匀的(Pb,Ca)TiO3(PCT)薄膜.原子力显微镜和X射线衍射分析结果表明,快速退火处理工艺较常规退火处理工艺具有晶化温度低、晶化时间短、薄膜结晶性能好、易与微电子工艺兼容等优点.经500～550℃快速退火处理后,PCT薄膜已完全形成钙钛矿结构,最佳晶化温度约为550℃.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	钟朝位	电子科技大学微电子与固体电子学院	49	326	8.0	16.0
2	张树人	电子科技大学微电子与固体电子学院	187	1176	16.0	24.0
3	张万里	电子科技大学微电子与固体电子学院	142	705	13.0	17.0
4	彭家根	电子科技大学微电子与固体电子学院	4	5	1.0	2.0