Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统制备及退火气氛对其热稳定性的影响

• 作者: 刘君华 宋忠孝 朱长纯 王颖
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 扩散阻挡层 金属化 退火
• 年，卷（期）: 2004,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1634-1638
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.93
• 字数: 2678字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.12.017

摘要

采用磁控溅射法在n型〈111〉晶向的Si衬底上形成了Zr-Si-N薄膜及Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统.将Cu/Zr-Si-N/Si金属化系统样品分别在真空及H2/N2(体积比为1∶9)气氛中800℃退火1h.对Zr-Si-N 薄膜和退火后的金属化系统样品进行X射线衍射、X射线光电子能谱、扫描电镜、薄层电阻率及俄歇电子能谱测试与分析.结果表明,Zr-Si-N阻挡层是以ZrN晶体与非晶相Si3N4或其他Si-N化合物的复合结构形式存在.经过两种气氛退火后的样品均没有发生阻挡层失效,但与真空退火相比,H2/N2退火气氛由于不存在残余O2的作用而表现出较低的Cu膜薄层电阻率及较好的Cu/Zr-Si-N/Si界面状态.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘君华	西安交通大学电子与信息工程学院	224	3216	28.0	45.0
2	朱长纯	西安交通大学电子与信息工程学院	215	2372	22.0	41.0
3	王颖	西安交通大学电子与信息工程学院	69	1209	15.0	34.0
4	宋忠孝	西安交通大学金属材料强度国家重点实验室	30	143	8.0	11.0