BJMOSFET温度特性分析及计算机模拟

• 作者: 尚玉全 晏敏 曾云 滕涛 盛霞 高云
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 双极MOS场效应晶体管 温度特性 理论分析 计算机模拟
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 页码范围: 493-497
• 页数: 5页
• 分类号: TN386.1|TP391.9
• 字数: 2474字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2004.03.030

摘要

对兼有双极型和场效应型两种器件特点的双极MOS场效应晶体管(BJMOSFET)的电流和阈值电压的温度特性进行了详细分析,推导出它们随温度变化率的解析表达式.建立BJMOSFET的直流小信号模拟分析等效电路和频率特性模拟分析等效电路,采用通用电路仿真软件PSpice9,对BJMOSFET的输出特性、瞬态特性和幅频特性随温度的变化进行了计算机模拟,得到了随温度变化的特性曲线,并且理论分析与计算机模拟取得了一致的结果.相对传统MOSFET,证明了BJMOSFET具有较好的温度特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	晏敏	湖南大学微电子研究所	61	635	13.0	23.0
2	曾云	湖南大学微电子研究所	102	899	13.0	27.0
3	高云	湖南大学微电子研究所	5	70	3.0	5.0
4	盛霞	湖南大学微电子研究所	5	18	3.0	4.0
5	滕涛	湖南大学微电子研究所	5	64	3.0	5.0
6	尚玉全	湖南大学微电子研究所	4	63	3.0	4.0