高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远结激光器及其老化特性

• 作者: 张素梅 石家纬 胡贵军 赵世舜
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: 高功率半导体激光器 远结 单量子阱 AlGaAs/GaAs
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 267-271
• 页数: 5页
• 分类号: TN248.4
• 字数: 1753字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.009

摘要

为了提高器件的可靠性和使用寿命,设计并研制了一种将p-n结和有源层分开的高功率AlGaAs/GaAs单量子阱远异质结(SQW-RJH)激光器,发射波长为808 nn,腔长900 μm,条宽100μm,其外延结构与通常的808nm AlGaAs/GaAs单量子阱半导体激光器的结构不同,在p-n结和有源区间多了一层p型AlGaAs层,其厚度约为0.1 μm.为减小衬底表面位错对外延层质量的影响,在n+-GaAs衬底和n-Al05Ga0.5As下包层间加一层n+-GaAs缓冲层.对器件进行了电导数测试及恒流电老化实验.与常规AlGaAs/GaAs大功率半导体激光器相比,远结大功率半导体激光器具有阈值电流Ith偏大、导通电压Vth偏高的直流特性.3 000 h的恒流电老化结果表明,器件在老化初期表现出阈值电流随老化时间缓慢下降,输出功率随老化时间缓慢上升的远结特性.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张素梅		3	14	2.0	3.0
2	石家纬		5	39	3.0	5.0
3	赵世舜	吉林大学数学学院	17	90	5.0	9.0
4	胡贵军		1	1	1.0	1.0