旋转对流下铜在微沟道中的电沉积

• 作者: 孙建军 谢步高 阴文辉 陈国南
• 来源期刊: 电化学
• 学科: 化学
• 关键词: 电沉积 铜 旋转电极 微沟道 芯片 超等厚沉积
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 210-214
• 页数: 5页
• 分类号: O646
• 字数: 2234字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1006-3471.2004.02.014

摘要

将刻有微沟道的芯片固定在旋转圆盘电极上,在旋转对流条件下于微沟道中电沉积铜.微沟道深度为1μm,宽度分别为0.35μm,0.50μm,0.70μm.研究了芯片的旋转、电流密度以及Cu2+浓度等对微沟道中铜沉积的影响.实验表明,在旋转对流传质下,铜在微沟道中的沉积速率比静止芯片时的约快2～3倍.较低的Cu2+浓度和适中的沉积电流密度更有利于超等厚沉积的形成.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈国南	福州大学化学化工学院	164	1018	17.0	21.0
2	孙建军	福州大学化学化工学院	9	12	2.0	3.0
3	谢步高	福州大学化学化工学院	1	4	1.0	1.0
4	阴文辉	福州大学化学化工学院	2	6	2.0	2.0