碳糊电极吸附伏安法测定痕量锑

• 作者: 何农跃 李益恒 聂立波 肖鹏峰 郭会时
• 来源期刊: 东南大学学报(英文版)
• 学科: 化学
• 关键词: 锑 溴邻苯三酚红 碳糊电极 吸附伏安法
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 221-225
• 页数: 5页
• 分类号: O657.4
• 字数: 821字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1003-7985.2004.02.020

摘要

根据锑与溴邻苯三酚红(BPR)生成的络合物在碳糊电极上的吸附特性, 建立了测定痕量锑的吸附伏安法. 整个分析过程分3个步骤: 吸附富集、还原和溶出. 用单因素变化法得出最佳试验条件为: 以含40 μmol/L BPR的0.10mol/L HCl为富集底液; 富集时间150 s; 还原和溶出介质为0.20mol/L HCl; 还原电位为-0.50V; 还原时间为60 s;扫描范围为-0.5～0.20V. 考察了共存离子的影响. 二次导数溶出峰电流与锑(Ⅲ)浓度在1. 0nmol/L～0. 50μmol/L范围内呈良好的线性关系, 检出限达0.5nmol/L. 该方法已成功应用于人发和水样中锑的测定.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	何农跃	东南大学吴健雄实验室	72	707	15.0	23.0
2	肖鹏峰	东南大学吴健雄实验室	14	120	5.0	10.0
3	郭会时	东南大学吴健雄实验室	4	12	2.0	3.0
4	李益恒	湘潭大学化学系	36	189	9.0	12.0
5	聂立波	东南大学吴健雄实验室	6	45	3.0	6.0