ZnO:Al薄膜中本征缺陷对光电效应的影响

• 作者: 傅竹西 张国非 朱俊杰 林碧霞 段理 汪进
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 氧化锌薄膜 异质结 本征缺陷 光电效应
• 年，卷（期）: 2004,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 309-312
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 字数: 2158字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2004.03.018

摘要

在直流溅射法制备ZnO薄膜的过程中,通过合适选取溅射时氧氩的压力比,可以显著提高所得n-ZnO/p-Si异质结的光生短路电流,并且对该异质结的光生开路电压没有明显影响,从而可以用这种方法明显提高其光电转化能力.即使是在已经进行了n型掺杂的ZnO薄膜(这里为ZnO:Al)中,改变溅射时氧氩比对光电效应的影响也很明显.通过实验,已经证实了产生这种现象的原因是溅射时氧氩比的改变导致了ZnO薄膜内部的本征缺陷浓度的改变,使得载流子浓度变化而导致的结果.在氧氩压力比约为1:3时,光电转化效率最高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	傅竹西	中国科学院结构分析重点实验室	53	808	17.0	27.0
5	段理	中国科学院结构分析重点实验室	7	68	5.0	7.0
6	林碧霞	中国科学院结构分析重点实验室	32	700	16.0	26.0
10	朱俊杰	中国科学院结构分析重点实验室	39	448	14.0	19.0
11	汪进	中国科学院结构分析重点实验室	8	23	3.0	4.0
12	张国非	中国科学院结构分析重点实验室	1	7	1.0	1.0