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摘要:
通过理论分析得出硅双结型色敏器件中掺杂浓度和两个结的结深是影响光谱响应范围的主要因素.通过选择不同的器件结构和工艺条件,得到了色敏器件对蓝紫光的响应,完成了全色波段硅双结型色敏器件的研制.
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文献信息
篇名 全色波段硅双结型色敏器件的研制
来源期刊 光电子技术 学科 工学
关键词 双结型硅色敏器件 全色波段 结深 短路电流比
年,卷(期) 2004,(3) 所属期刊栏目 研究与试制
研究方向 页码范围 159-162,168
页数 5页 分类号 TN379
字数 3342字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-488X.2004.03.003
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 陈炳若 武汉大学物理与科学技术学院 21 118 7.0 9.0
2 韦冬青 武汉大学物理与科学技术学院 2 9 2.0 2.0
3 钟茗 武汉大学物理与科学技术学院 4 18 3.0 4.0
4 李云虎 武汉大学物理与科学技术学院 1 4 1.0 1.0
5 杨雨佳 武汉大学物理与科学技术学院 6 11 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
双结型硅色敏器件
全色波段
结深
短路电流比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
光电子技术
季刊
1005-488X
32-1347/TN
16开
南京中山东路524号(南京1601信箱43分箱)
1981
chi
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