氧对纳米ZnO薄膜晶体结构和光致发光的影响

• 作者: 潘志峰 王志坚 袁一方
• 来源期刊: 曲阜师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 物理学
• 关键词: ZnO薄膜 射频磁控溅射 光致发光 氧压
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 48-50
• 页数: 3页
• 分类号: O47
• 字数: 2121字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5337.2004.02.012

摘要

ZnO是一种直接带半导体材料,在光电领域中和GaN一样受到关注.ZnO不仅有与GaN相似的晶体结构,而且它的激子结合能高达60meV,是GaN的2.4倍.采用射频(RF)磁控溅射法在n-Si(001)衬底上生长ZnO薄膜,XRD谱测量显示出氧压对ZnO薄膜的晶体结构有显著影响.用波长为325nm的激光激发,观察到在445 nm处有一强的光致发光峰,它来自于氧空位浅施主能级上的电子跃迁到价带,分析了发光峰与氧压的关系以及退火对它的影响.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	潘志峰	上海理工大学光电学院	31	148	7.0	10.0
5	袁一方	济宁医学院物理教研室	3	9	2.0	3.0
6	王志坚	上海大学自动化学院	13	51	5.0	6.0