Ga6 N6团簇结构性质的理论计算研究

• 作者: 郑浩平 郝静安
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: GaN 团簇 电子结构
• 年，卷（期）: 2004,（4）
• 所属期刊栏目: 原子和分子物理学
• 页码范围: 1044-1049
• 页数: 6页
• 分类号: O4
• 字数: 3740字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2004.04.015

摘要

在密度泛函理论的基础上,对Ga6N6团簇进行了第一性原理、全电子、从头计算,得到了10种可能的三维空间结构及其电子结构.其中最稳定结构的一对GaN原子的平均结合能为9.748 eV,因此是可能存在的.但与他人计算的Ga3N3和Ga5N5相比,Ga6N6团簇可能不属于"幻数"团簇.最稳定结构的Ga6N6团簇的费米面是部分占有的,能量为EF=-5.2972 eV,因此具有"金属性",但没有自旋磁矩.我们还计算了该结构的Ga6N6团簇的亲和势、电离能和电子跃迁能.这将有助于对GanNn团簇系列的结构和性质随n变化的研究.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郑浩平	同济大学玻耳固体物理研究所	12	55	5.0	7.0
2	郝静安	同济大学玻耳固体物理研究所	1	11	1.0	1.0