篇名 | Damage Accumulation and Its Effect in Gallium Nitride Film by 208Pb27+ Ions of 1.1 MeV/u | ||
来源期刊 | 近代物理研究所和兰州重离子加速器实验室年报:英文版 | 学科 | 工学 |
关键词 | 光电子器件 离子束注入 氮化镓 薄膜效应 积累 损伤 设备技术 离子轰击 | ||
年,卷(期) | 2004,(1) | 所属期刊栏目 | |
研究方向 | 页码范围 | 70-71 | |
页数 | 2页 | 分类号 | TN15 |
字数 | 语种 | 中文 | |
DOI |