C基薄膜电子场发射的一般特性及发射模型

• 作者: 刘艳红 李建 马腾才
• 来源期刊: 真空
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石 电子发射
• 年，卷（期）: 2004,（1）
• 所属期刊栏目: 学位论文
• 页码范围: 16-21
• 页数: 6页
• 分类号: TB43|TN304.1+8
• 字数: 4548字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1002-0322.2004.01.004

摘要

介绍了几种碳基材料的场发射特性及其发射模型.金刚石表面具有较低的或负的电子亲和势,因无法实现N型掺杂,难以用作电子发射材料.类金刚石膜及非晶碳膜材料经过"激活"后在表面形成具有较大场增强因子的熔坑,在几～几十V/μm的低阈值电场下得到非本征的电子发射,纳米结构的碳和碳纳米管本身具有较大的场增强因子,是较有前途的平面阴极场发射材料.碳基材料的导电性不同,遵循的发射模型不同.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马腾才	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	81	688	15.0	21.0
2	刘艳红	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	14	73	6.0	8.0
3	李建	大连理工大学三束材料改性国家重点实验室	8	32	4.0	5.0