808nm大功率准连续LD阵列

• 作者: 刘刚明 武斌
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体激光器阵列 单量子阱分别限制 大功率 准连续
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 光电器件
• 页码范围: 454-455,458
• 页数: 3页
• 分类号: TN365
• 字数: 1394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2004.06.012

摘要

采用单量子阱光电分别限制异质结(InGaAsP/GaAs)结构,研制了一种电致冷的大功率准连续激光器阵列,对器件的几个主要参数进行了理论分析.实验结果表明,器件峰值波长为807.6 nm,光谱半宽为3 nm,工作电流为98.7 A时,输出功率达到1 000 W(10个Bar,占空比为2%).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘刚明		8	70	4.0	8.0
2	武斌		2	2	1.0	1.0