CVT法生长GaP多晶

• 作者: 东艳萍 何莉 王向阳 田鸿昌 蔡以超
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 其他
• 关键词: CVT(化学气相输运) GaP多晶 红外窗口材料
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 860-862
• 页数: 3页
• 分类号: O0782
• 字数: 1696字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.05.037

摘要

阐述了CVT(化学气相输运)法生长GaP的基本反应和输运速度,采用CVT法生长出了GaP多晶.设计了石英管的结构以制造出一个局部的低温区域,防止了GaP在管壁的生长.生长出的GaP多晶相对密度为98%,红外透过率达到30%,努普硬度为611kg/mm2.散射颗粒测试表明主要的光散射颗粒为多晶中存在的孔隙.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王向阳		5	44	3.0	5.0
2	蔡以超		5	50	3.0	5.0
3	何莉		2	5	2.0	2.0
4	田鸿昌		3	40	2.0	3.0
5	东艳萍		3	40	2.0	3.0