Si/SiGe-OI应变异质结构的高分辨电子显微分析

• 作者: 屠海令 邵贝羚 陈长春 马通达 黄文韬
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: Si/SiGe-OI应变异质结构 高分辨显微结构 失配位错 弛豫机理
• 年，卷（期）: 2004,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1123-1127
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3651字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2004.09.015

摘要

为了研究失配应变的弛豫机理,利用高分辨电子显微镜(HREM)对超高真空化学气相沉积(UHVCVD) Si/SiGe-OI材料横截面的完整形貌和不同层及各层之间界面区的高分辨晶格像进行观察.发现此多层结构中存在60°位错和堆垛层错.结合Matthews和Blakeslee提出的临界厚度的模型和相关的研究结果对60°位错组态的形成和存在原因进行了分析.在具有帽层结构的Si1-xGex应变层靠近基体一侧的界面中仅存在单一位错,验证了Gosling等人的理论预测结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	屠海令		42	224	8.0	12.0
2	邵贝羚		21	81	6.0	8.0
3	马通达		10	18	4.0	4.0
4	黄文韬	清华大学微电子学研究所	12	43	5.0	6.0
5	陈长春	清华大学微电子学研究所	10	23	3.0	4.0