氢氧化钴修饰玻碳电极的制备及其电化学行为

• 作者: 刘六战 刘有芹 沈含熙
• 来源期刊: 分析测试学报
• 学科: 化学
• 关键词: 氢氧化钴 玻碳电极 循环伏安法 电催化
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 9-13
• 页数: 5页
• 分类号: O657.15|O614.812
• 字数: 3985字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-4957.2004.06.003

摘要

采用循环伏安法成功制备了氢氧化钴薄膜修饰玻碳电极.考察了影响膜电沉积的因素,确定成膜液最佳pH为7.5,最佳扫描电位范围为1.00～-0.20 V.讨论了成膜过程及机理,成膜关键是Co2+在电极表面的氧化.制得的膜修饰电极具有表面吸附反应特征,表面覆盖量相当于5～6个单层的氧化还原活性物质.膜修饰电极具有良好的稳定性,并对H2O2表现出较高的电催化活性.线性回归方程为:△Ipa(μA)=15.92+4.99×104c(H2O2)(mol·L-1)(r=0.997 6,n=18),线性范围为1.72×10-5～9.92×10-3mol·L-1,检出限为4.25×10-6mol·L-1(S/N=3).

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	沈含熙	南开大学化学系	39	803	15.0	27.0
2	刘六战	南开大学化学系	11	160	6.0	11.0