偏压对电弧离子镀沉积类金刚石膜的影响

• 作者: 孙超 汪伟 邹友生 郑静地 闻立时 黄荣芳
• 来源期刊: 金属学报
• 学科: 工学
• 关键词: 类金刚石膜 电弧离子镀 脉冲偏压 结构 力学性能
• 年，卷（期）: 2004,（5）
• 页码范围: 537-540
• 页数: 4页
• 分类号: O484.4|TG174.44
• 字数: 3394字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0412-1961.2004.05.019

摘要

采用电弧离子镀方法,在Si(100)基底上沉积了类金刚石(DLC)膜.用激光Raman谱和X射线光电子能谱(XPS)对不同偏压下沉积的类金刚石膜的结构进行了分析.结果表明,Raman谱的D峰和G峰的强度之比ID/IG随着脉冲负偏压的增加先减小后增大,sp3键含量随着负偏压的增加先增加后减小.偏压为-200 V时,ID/IG值最小为0.70,sp3键含量最大为26.7%.纳米压痕仪测量结果表明,随着脉冲负偏压增加,硬度和弹性模量先增加后下降.偏压为-200 V时,DLC膜的硬度和弹性模量最大,分别为30.8和250.1 GPa.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙超	中国科学院金属研究所	126	1708	23.0	34.0
2	黄荣芳	中国科学院金属研究所	37	704	16.0	25.0
3	闻立时	中国科学院金属研究所	117	1859	24.0	36.0
4	郑静地	中国科学院金属研究所	3	55	3.0	3.0
5	邹友生	中国科学院金属研究所	5	46	4.0	5.0