光刻中驻波效应的影响分析

• 作者: 刘世杰 刘建莉 唐雄贵 彭钦军 杜惊雷 肖啸 郭永康
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 驻波效应 光刻 曝光剂量 显影轮廓 厚胶
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 所属期刊栏目: 显微、测量、微细加工技术与设备
• 页码范围: 41-45
• 页数: 5页
• 分类号: TN305.7
• 字数: 2538字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2004.02.009

摘要

驻波效应是抗蚀剂在曝光过程中的寄生现象.一般认为,驻波效应对薄胶的光刻图形有较大的影响,而对厚胶的光刻图形影响不大.根据DILL曝光模型进行了模拟计算,分析了在曝光过程中抗蚀剂折射率的改变对驻波强度和位置的影响以及驻波效应引起抗蚀剂曝光剂量分布的变化,并结合MACK显影模型分析了当抗蚀剂的厚度改变时,驻波效应对其显影轮廓的影响程度,计算分析得出了一个可以不采用后烘工序的抗蚀剂厚度值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	郭永康	四川大学物理学院	87	836	16.0	21.0
2	杜惊雷	四川大学物理学院	77	611	13.0	18.0
3	刘世杰	四川大学物理学院	10	74	5.0	8.0
5	唐雄贵	四川大学物理学院	21	174	7.0	12.0
8	肖啸	四川大学物理学院	13	66	4.0	8.0
9	刘建莉	四川大学物理学院	4	25	3.0	4.0
10	彭钦军	四川大学物理学院	7	116	5.0	7.0